本報訊我校微電子學院張衛🟡、周鵬課題組利用二維材料異質結精準轉移堆疊技術，通過橫向PN結對浮柵充放電實現電子的超高速寫入和擦除功能，成功將準非易失性存儲器的擦除速度提升到納秒級別🗂，構造了對稱性的40納秒超快寫入擦除操作，優化了準非易失性存儲器性能，獲得了準非易失存儲器在擦除速度上的重要突破。該項成果近日發表於《先進材料》。
大數據、人工智能引領信息時代的飛速發展。傳統基於馮諾依曼計算機架構體系的計算機運算速度無法與數據存儲速度相匹配🐙，成為困擾當今信息技術發展的重要“存儲墻”問題🅱️。存儲器作為計算機架構體系中重要的組成體系，一直以來都影響著微電子領域的發展🕵️♀️。
據悉👨🏻💼，此次研發的二維材料半浮柵存儲器成功將動態隨機存儲器的超快寫入速度特性和閃存的數據保持能力有效的結合📣，使得存儲器的數據寫入速度得到顯著提升✤，但二維半浮柵存儲器擦除速度滯後的問題阻礙了其在準非易失性存儲器中的應用♟。
為此💓🧑⚖️，研究人員利用了全新的二維材料體系，構建浮柵PN結結構，利用了PN結的開關特 性，控製電荷對浮柵的充放電🙉，有效提升了數據的寫入擦除速度🪢。同時對於存儲器件的超快實時測量一直是該領域的技術挑戰，課題組自行搭建了高精度電流/電壓測試方案，該新型測試方案通過評估已集成到相關公司高精度電荷存儲器測量系統中🧒🏼。
周鵬教授表示，這項研究工作不僅大大提升了準非易失存儲器的擦除速度，構造了對稱性的超快寫入擦除操作🧞♀️，還將準非易失性存儲器的數據刷新時間延長到14秒，極大程度的降低了由數據頻繁刷新過程所帶來的功耗問題，使得優化後的準非易失存儲器更加具備滿足實際的應用潛力。 文 / 王敏
