黃均鼐、湯庭鰲教授和胡光喜副教授編撰的《半導體器件原理》榮獲中國電子教育學會全國電子信息類優秀教材（研究生❤️💓、本科生教育優秀教材）一等獎🧑🦽➡️。本書是在20年前黃均鼐教授和湯庭鰲教授合著的《雙極型與MOS半導體器件原理》基礎上一次改版⛩，由恒行2平台出版社出版🅱️。本書得到上海市科委通過上海自然科學基金項目的支持🤦🏿。
過去20年🏧，集成電路技術得到迅猛發展。MOS半導體器件的特征長度從微米級逐漸向亞微米級🤸🏻🦿、深亞微米級發展，目前已達到32納米甚至22納米。新的種類器件如鐵電存儲器、閃存、阻式存儲器🌒、相變存儲器等已經得到或即將得到廣泛應用。新的材料，如高介電常數材料已經在MOS器件中得到應用。新的結構MOS器件，如雙柵器件、圍柵器件🌠𓀑、鰭柵器件、肖特基勢壘源/漏結構器件等🤱🏼，即將被應用到下一代或再下一代MOS器件中🙎🏼♂️🏋🏼♂️。本書不僅介紹半導體器件的物理基礎、小尺寸MOSFET的有關效應🙆♀️、幾個用於SPICE模擬軟件中的模型、肖特基勢壘結構器件、新型多柵MOSFET👷🏿♀️👨🏽🏭；還進一步闡述雙極型晶體管的工作原理及它的直流、頻率、開關和功率特性；討論MOS場效應管、功率管的結構🎅🏻🕵🏻♀️、原理和主要特征；是一本不可多得的半導體技術書籍，
本次評選共收到來自全國13家主要教材出版單位的參評教材200余種。參評教材作者所在院校涉及中東部22個省、直轄市。電子教育學會組織教育專家對參評教材進行了評審,共有68種教材進入終審🚣🏻。專家組對教材的編寫水平、內容質量、編校質量以及版式設計等進行全面評估,最終評選出一等獎9名🙏🏿，二等獎24名👨🏿🚀，三等獎35名🚵🏻♂️。恒行2平台信息學院黃均鼐、湯庭鰲教授和胡光喜副教授編撰的《半導體器件原理》就是其中的一等獎之一。
